Nazwa aparatu/producent
Elipsometr spektroskopowy SENTECH SE850E
Technika
Elipsometria spektroskopowa, elipsometria zmienno-temperaturowa cienkich warstw
Warunki pomiaru
o Zakres spektralny 240 - 2500 nm
o Pomiary w modzie odbiciowym
o Pomiary w modzie transmisyjnym
o Pomiary temperaturowe w zakresie od –150 ⁰C do + 450⁰C
o Możliwość pomiaru rezystancji elektrycznej, jednocześnie z pomiarami elipsometrycznymi
Możliwości badawcze
Pomiary bez konieczności modelowania:
-kąty elipsometyczne Ψ i Δ (możliwy pomiar wielokątowy w zakresie: 40⁰ - 70⁰)
-transmisja (możliwość wyboru mniejszego zakresu spektralnego, niż 240 – 2500 nm)
-pomiar temperatury zeszklenia, lub zimnej krystalizacji (warunki pomiaru dobierane indywidualnie do próbki)
Pomiary wymagające modelowania:
-pomiar współczynnika ekstynkcji, współczynnika załamania światła, stałych dielektrycznych, grubości próbek, udziału procentowego składników warstw typu „bulk”
-możliwość wykonania map powierzchniowych próbek (zmiany grubości, współczynników ekstynkcji, załamania, koncentracji składników w warstwach typu „bulk”) w skali makroskopowej, z wykorzystaniem mikrospotów (rozmiar plamki 200 μm)
-pomiar zmian temperaturowych grubości, współczynników optycznych i dielektrycznych
Wszystkie mierzone próbki muszą mieć postać cienkich warstw, o zakresie grubości do 2μm, muszą być osadzone na podłożach z krzemu polerowanego (o znanej grubości tlenku krzemu na powierzchni), na płytkach ze szkła mikroskopowego (matowych jednostronnie), lub na płytkach kwarcowych (przezroczystych).
Osoba do kontaktu:
Dr inż. Wanda Sikorska, Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie obsługi JavaScript. , tel. 32 271 60 77 w. 228
Cena bazowa: 100 zł za podstawowy pomiar bez modelowania
250 zł za podstawowy pomiar wymagający modelowania
Cena pozostałych pomiarów uzgadniana indywidualnie
